

A | 1月12日:华硕罗格(玩家国家)推出的罗格手机是游戏手机领域的领头羊,就像罗格的高端游戏笔记本一样。 8月24日消息,美光HBM设计架构研究员拉古·斯里拉马内尼在8月23日斯坦福大学举办的Hot Chips 2026半导体会议上警告,内存墙依然存在,且情况还在恶化。 所谓内存墙,是指GPU速度不断提升,但存储数据的高带宽内存却无法跟上其速度而导致的瓶颈。 会议展示的最新HBM封装技术上,两颗GPU与八颗12层HBM4集成于一体,其中约90%半导体面积都用于存储,存储面积是GPU的8倍多。芯片内部空间几乎全被存储占据,这正是用面积换带宽所付出的代价,也是内存墙问题日益严峻的直观体现。 拉古指出,AI加速器计算性能以每两年3倍速度发展,但同期HBM发展速度不到每两年2倍。最近,一条线索显示,这款功能强大的手机有望迎来升级。这解释了高带宽内存为何还是喂不饱GPU,无论计算设备速度多快,数据通道狭窄终将因供给过慢而停滞。几天前,在Geekbench上,安卓9系统的rog手机悄然出现。这款手机配备了M845处理器和8GB内存,单核2403和多核8889的性能已经耗尽。 硬件上,当前HBM制造相同存储容量消耗的晶圆数量约为普通DDR5的3倍。拉古强调,技术升级越快芯片尺寸越大、堆叠层数越多,这一差距还在扩大,内存行业将持续面临短缺。 散热方面,HBM是多层堆叠结构,底层产生的热量最多,但热量必须穿透所有堆叠层才能到达顶部的冷却系统,这使得散热效率大打折扣,液冷和芯片超薄技术正提供解决方案。当然,更重要的是,这意味着安卓9的升级可能迫在眉睫。

B | 国家版本的rog手机于去年9月发布,6英寸的fhd 18:9全屏,90赫兹刷新率,HDR支持和108.6%的DCI-P3游戏性能。 拉古表示,HBM的挑战需要内存厂商、GPU设计商、代工厂和封装厂商共同协作才能解决。

C | 手机配备定制的2.96GHz高通M845处理器高频版本、8GB LPDDR4内存128GB/512GB UFS 2.1存储组合、800万像素前置、1200万像素后置、800万双摄像头和4000 mAh锂电池。
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